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2025 年，国产光刻机产业迎来关键突破期。从 90nm 成熟制程量产到 28nm 浸没式机型进入验证阶段，从核心部件自主化攻坚到产业链协同发力，国产替代正从单点突破转向系统性推进，为半导体产业自主可控注入强劲动力。
国产光刻机替代已跨过 “从 0 到 1” 的技术门槛，进入产业化落地关键阶段。作为成熟制程与先进制程的分水岭，28nm 节点的突破成为 2025 年行业最大亮点。上海微电子研发的 SSA600/20 型 28nm 沉浸式 DUV 光刻机已完成中芯国际等头部企业的验证测试，良品率提升至 90%，达到量产标准。
从进度看，这款设备采用沉浸式光刻技术，通过高折射率液体与多重曝光工艺结合，将等效波长压缩至 110nm，可稳定实现 28nm 芯片生产。上海微电子计划 2025 年交付 10 台以上设备，2026 年实现规模化量产，这一进程使国内 28nm 制程设备进口依赖度有望下降 40%。
在市场覆盖上，28nm 光刻机可满足全球 80% 的芯片需求，涵盖汽车芯片、电源管理芯片、MCU 等刚需领域。相较于 ASML 同类型设备，国产机型价格仅为其 1/3，交货周期从 1 年缩短至 3 个月，显著提升国内晶圆厂扩产效率。目前 90nm DUV 光刻机已实现稳定量产，形成 “成熟制程打底、先进制程突破” 的替代格局。
光刻机由超 10 万个精密部件构成，光源、光学系统、双工件台三大核心子系统的突破，标志着国产设备从 “组装集成” 走向 “自主可控”。
光源系统打破美国 Cymer 垄断，科益虹源研发的高功率准分子激光器实现量产供货。其能量稳定性达 ±0.5%，寿命超 2 万小时，不仅满足 28nm 光刻需求，还比 ASML 同类型产品能耗低 15%、价格便宜 20%，成为国产 DUV 的 “强心脏”。在更前沿的 EUV 光源领域，中科院固体激光技术效率已达 3.42%，接近商用水平，为后续技术迭代奠定基础。
光学系统实现从 “跟跑” 到 “并跑”，国望光学的沉浸式投影物镜采用超精密磨削与离子束抛光技术，面形精度（PV 值）小于 8nm，通过中芯国际验证并计划 2025 年量产。茂莱光学则凭借纳米级非球面镜片技术打入 ASML 供应链，国产替代率从 5% 提升至 15%，其 DUV 物镜系统单机价值量达 5000 万元，2025 年新增订单 8.5 亿元。
双工件台缩小与国际差距，国产机型切换速度达 1.2m/s，虽较 ASML 的 1.5m/s 仍有差距，但通过软件算法优化，实际产能差距已缩小至 10%。上海微电子第三代双工件台正在研发，预计 2025 年底切换时间可压缩至 1 秒以内。
